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電子元器件老化試驗

一、概念(niàn) 老化也稱“老(lǎo)練”,是指在一定的環境溫度下、較長的時間內對元器件連續施加一定的電應力,通過電-熱應力的綜合作用來加速元器件內部的各種物理、化學反應過程,促使隱藏於元器件內部的各種潛在缺陷及早暴露,從而達到(dào)剔除早期失效產(chǎn)品的目的。二、作用 1.對於工藝製(zhì)造過程···
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產品介紹 / Introduction

產品介紹introduce

電子元器(qì)件老化試驗

    一、概念 老化也稱“老練”,是指在一定(dìng)的環境溫度下、較長的時間(jiān)內(nèi)對元器件連續施加一定的電(diàn)應力,通(tōng)過電-熱應力的綜合作(zuò)用來加速(sù)元器件(jiàn)內部的各種物理、化學反應過程,促(cù)使隱藏於元(yuán)器(qì)件內部的各種潛在缺陷及早暴(bào)露,從而達到剔除早(zǎo)期失效產品的目的。

元器(qì)件

    二、作用
    1.對於工藝製造過程中可能存在的一係列缺陷,如表麵沾汙、引線焊接不良、溝道漏電、矽片裂紋、氧化層缺陷和局部發熱(rè)點等都有較好的篩選效果。
    2.對於(yú)無缺陷的元器件(jiàn),老化也可促使其(qí)電參數穩定。

    三、半導體器(qì)件常用(yòng)的老化篩選方(fāng)法
    1.常溫靜態功率老化(huà)
    常溫靜態(tài)功率老化就是使器件處(chù)在室溫下老化(huà)。半導體的PN結處於正(zhèng)偏導通狀態,器件老化所需要的熱應力,是由器件本身所消耗的功率轉換而來(lái)的。由於器件在老化過程中受到電、熱(rè)的綜(zōng)合作用,器件內部的各種物理、化學反應(yīng)過程被加速,促使其潛在缺陷提前暴露,從而把有缺(quē)陷的器件剔除。這種老化方法無需高溫設備,操作也很簡便,因此被普遍采用。在器件的安全範圍內,適當加大老化功率(提(tí)高器件結溫)可以收到更(gèng)好(hǎo)的老化(huà)效果,並且(qiě)可以縮短老(lǎo)化時間。                
    為了使老化取得(dé)滿意的效(xiào)果,應注意下麵幾點:
    ① 老化設備應有(yǒu)良好的防自激振蕩措施。
    ② 給器(qì)件施加電壓時,要從零開始緩慢地增加,去電壓時也要緩慢地減小,否(fǒu)則電源電壓(yā)的(de)突變所產生的瞬間(jiān)脈衝可(kě)能(néng)會損傷器件。老化後要在標準或(huò)規範規定的時(shí)間(jiān)內及時測量,否則某些老化時超差的參數會恢複到(dào)原來的數值。
    ③ 為保證晶體管能在最高結(jié)溫下老化,應準確測量晶體管熱阻。
    對於集成電路來說,由於其工作電壓和工作電流都受到較大的限製,自身的結溫溫升很少,如不提高環境溫度很(hěn)難達到有效地老化所(suǒ)需的(de)溫度。因此(cǐ),常溫靜態功率老化隻在部分集(jí)成電路(線性電路和數字電路)中應用。


    2.高溫(wēn)靜(jìng)態功率老化(huà)
    高溫靜態功率老化的加電方(fāng)式及試驗電路形(xíng)式均與常溫靜態功率老化相同,區別在於前者在較高的環境溫度下(xià)進行。由於器件處在較高的環境溫度下進(jìn)行老化,集成電路(lù)的結溫就可達到很高的溫度。因此(cǐ),一般說來,集成電路的高溫靜態功率老(lǎo)化效果比常溫靜(jìng)態功率(lǜ)老化(huà)要好。
    我國(guó)軍用電子元器件標準中明(míng)確規定(dìng)集成電路要進行高溫靜態功率老化,具體條件是:在產品標(biāo)準規(guī)定的額定電源電壓、額定負載、信號及線路下進行老化。老化條件是:125±3                ℃,168 h(可根據需要確定)。老化過程中至少(shǎo)每8 h監測一(yī)次。
    3.高溫反偏老化
    在高溫反偏老化中,器件的PN結被同時(shí)加上高溫環境應力和反向偏壓電應力(lì),器件內部無電流或(huò)僅有微小的(de)電流通過(guò),幾乎不(bú)消耗功率。這種老化方(fāng)法對剔除具有表麵(miàn)效應(yīng)缺陷的早期失效器件特別有效,因而在一些反向(xiàng)應用的半導體器件老化中得到廣泛(fàn)的(de)應用。
    4.高溫動態(tài)老化(huà)                
    高溫動態老化主要(yào)用於數字器件,這種老化方法是在被老化器件的輸入端(duān)由脈衝信號(hào)驅動(dòng),使器件不停地處於翻轉(zhuǎn)狀態。這種老化方法很接近器件的實際使用狀態。
    高溫動態老化有兩種基本試驗(yàn)電路:串聯開關和並聯開關試驗電路(lù)。
    (1)串聯開關試驗電路又稱(chēng)“環形計數器”電路。其特點是(shì):把全部受試器件的輸出輸入(rù)端串聯起來,組成一個環形計數電(diàn)路。由於前級的輸出就是後一級的輸入,即後一級就是前一級的負載,這就無須外加激勵信號和外加負載,故設備(bèi)簡單,容易實(shí)現。缺點是任一被試器件失效,都會使(shǐ)整個環形係統停止工作,使試驗中。直到換上新的試驗電路或短接有問題的器件,試驗才恢(huī)複正常。                
    (2)並(bìng)聯開關(guān)試驗(yàn)電(diàn)路的特點是(shì),被測器件與激勵電源(yuán)相並聯,因此每個被試器件都能(néng)單獨由(yóu)外加的開關電壓來驅動,每個被試器件的輸出端均可接(jiē)一模擬(nǐ)最大值的負載,從而克服了串聯開關老化(huà)的缺點。
    高(gāo)溫動態老化(huà)的試驗條件一般是在最(zuì)高額定工作溫度和最高額定工作電壓下老化168~240 h。例如:民用器件通常為幾小時,軍用高可靠性器件可選(xuǎn)擇100~168 h,宇航級器件可選擇240                h甚至更長的周期。

    四、元件的老化
    1.電阻元件老化試驗一般按照(zhào)規範的要求施(shī)加功率和溫度環境,要特別(bié)注意的是老化是否有散熱的要求。
    2.電容器老化試驗一般采用高溫電壓(yā)老化。這種方(fāng)法是:在(zài)電容器最高(gāo)額定(dìng)工作(zuò)溫(wēn)度下施加額定電壓,持續96~100 h,以剔除因介質有缺陷(xiàn)而造成擊(jī)穿和短路的產品。例(lì)如,有機(jī)薄膜電容器介(jiè)質中的針孔、疵點和(hé)導電微粒,在高溫電壓老化中會導致電容器短(duǎn)路失效;有嚴(yán)重缺陷的(de)液體鉭電(diàn)解電容器在高溫電壓老化時,流經缺陷處的短(duǎn)路電流很大,使產品溫度驟然升高。電解質與焊(hàn)料迅速氣化,使壓力達到(dào)足以使產品遭到破壞的程度。
    對於沒有潛在缺陷的電容器,高溫電壓老化能消除產品中的內應力,改善介質性能,提高電容器的容量穩定(dìng)性。高溫電(diàn)壓(yā)老化能使(shǐ)介質有缺陷的金屬化紙介(或塑料箔膜)電容(róng)器產生(shēng)“自愈”,恢複其性能。
     五、高溫老(lǎo)化注意事項
    1.各種元器件的電應力選擇要適當,可以(yǐ)等於或稍高於額定條件,但應注意高於額(é)定條件不能引(yǐn)入新的失效機理。例如,有些元器件負荷瞬時超過(guò)最大額定值時會(huì)立即劣化或擊(jī)穿(chuān),即使一些劣化的器件以後能暫時工作,其壽命也將會縮短。                
    2.經(jīng)過高溫(wēn)老化試驗後要求殼溫冷卻到低於35 ℃時才允許給器件斷電。由於在高溫無電場作用下,可動離子能(néng)作無規則運動,使得器件已失效的性(xìng)能恢(huī)複正常,從而可能(néng)會掩蓋其曾經失效的(de)現象。
    3.老化試驗後的測試一般要求在試驗結束後96 h內完成。

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