一、試驗目的

電子（zǐ）元器件的失效很多是由於環境溫度造成體內和表麵的各種（zhǒng）物理、化學變化所引起的。溫度升高後，使得化學反（fǎn）應速率大大加快，其失效（xiào）過程也得到加速，使有缺陷的（de）元器件能及（jí）時暴（bào）露。 

通（tōng）過高低溫試驗（yàn）箱模擬環境溫度變化提（tí）高元器件環境溫度適應能力（lì），加速元器件中可（kě）能發（fā）生或存在的任（rèn）何（hé）化學反（fǎn）應過程（如由水汽或（huò）其他離子所引（yǐn）起的腐蝕作用，表（biǎo）麵漏電、沾汙以（yǐ）及金-鋁之間金屬化合物（wù）的生成等），使具有潛在缺陷的元（yuán）器件提前失效而剔除。 

高溫貯存試驗（yàn）對於表麵沾汙、引線鍵合不良和氧化（huà）層缺陷等都有（yǒu）很好的篩選作用。 

二、試驗原理

高溫貯存是在試驗箱內模擬高溫條件，對元器件（jiàn）施加高溫應力（不加電（diàn）應（yīng）力），使得元器件體內和表（biǎo）麵的各種物理、化學變化的化學反（fǎn）應速率大（dà）大加快，其（qí）失效過程也得（dé）到加速，使有（yǒu）缺陷的元（yuán）器件能盡早暴露。 

高溫貯存篩選的特點：

① 最大的優點是操作簡便易行，可（kě）以大批量進行，投資少，其篩（shāi）選效果也（yě）不差，因而是目前比較普遍采用的篩選試驗項（xiàng）目。

② 通過高（gāo）溫貯存還可以使元器件的性能（néng）參數穩定（dìng）下來，減少使用中的參數漂移（yí），故（gù）在GJB548中也把高（gāo）溫貯存試驗稱為穩定性烘焙試驗。

③ 對（duì）於（yú）工藝和設計水平較高的成熟器（qì）件（jiàn），由於器件本身已很穩定，所以（yǐ）做（zuò）高溫存貯篩選效果（guǒ）很（hěn）差，篩選率幾乎為零。

三、試（shì）驗設備

高（gāo）低溫試驗箱（xiāng），適用產品零部件（jiàn）及材料在高溫、低溫（交變）循環變化的情況下（xià），檢驗其可靠性各項性能指標的儀器設備。高（gāo）溫時可測試產品零件、材（cái）料可能發生（shēng）軟化、效能降低、特性改變、潛在（zài）破壞（huài）、氧化等現象。 

四、暴露的缺陷

元器件的電穩定性、金（jīn）屬化（huà）、矽腐蝕（shí）和引線鍵合缺陷等（děng）。 

五、注意事項（xiàng） 

1.溫度-時間應力的確定。 

在（zài）不損害半導體（tǐ）器件的情況（kuàng）下篩選溫（wēn）度越高越好，因此應（yīng）盡可能提高貯存溫度。貯存溫度需（xū）根（gēn）據管殼結構、材料性質、組裝和密封工藝而定，同時還應特別注意溫度和時間的合（hé）理確（què）定。 

有一種誤解認（rèn）為溫度越高、時（shí）間越長篩選考驗就越嚴格（gé），這是錯誤的。例如：如（rú）果貯存（cún）溫度過高、時（shí）間過長則使器件加速退化以及對器件的封裝有破壞性，還有可能造（zào）成引線鍍層微裂（liè）及引線氧化，使得可焊接性變（biàn）差。 

確定溫度、時間對應關係的原則是：保持對（duì）元器件施加的應力強度不能變，即（jí）如果提高了貯存溫度，則應減少貯存時間。 

對於半導體器件來說，最高貯存溫度除了受到金屬與半導體材料共熔點溫度的限製以外，還受到器件封裝所用的鍵合絲材料（liào）、外殼漆層（céng）及標誌耐（nài）熱溫度和引線氧化溫度的限（xiàn）製。因此，金-鋁鍵合（hé）的（de）器件最高貯（zhù）存溫度可選用150 ℃，鋁-鋁鍵合最高可選用200 ℃，金-金鍵合器件最高可選用300 ℃。對電容器來（lái）說，最高貯存溫度（dù）除了受到介質（zhì）耐熱溫度限製外，還受到外（wài）殼漆層和標誌耐熱溫（wēn）度以及（jí）引線氧（yǎng）化溫度（dù）的限製，某些電容（róng）器（qì）還受（shòu）到外殼浸漬材料的限製（zhì），因此，電容器的最高貯存溫度一般（bān）都取它的（de）正極限溫度。

2.高溫（wēn）貯存多數在封（fēng）裝後進行，半導體器件也有在封（fēng）裝（zhuāng）前的圓片階段或鍵合後進行（háng），或封裝前後都進行。 

3.高溫貯存試驗結束後，如須對元器（qì）件進行測（cè）試（shì）對比，國軍標中規定（dìng）必須在96 小時內測試（shì）完畢。